硅片洗濯中烘干历程对硅片外貌颗粒的影响

硅片外貌颗粒污染会造成的危害包括:影响器件工艺良品率而造成的制造本钱、影响器件性能导致了器件性能的失常、影响器件的可靠性等等，以是硅片外貌颗粒必需洗濯清洁才华进入下一道工序
。

今天尊龙凯时科技小编给各人分享的是硅片洗濯中烘干历程对硅片外貌颗粒的影响，希望能对您有所资助！

硅片洗濯中烘干历程对硅片外貌颗粒的影响

在硅片洗濯工艺中，有一个主要的影响因素是烘干机，烘干机的影响条件主要是甩干时的转速以及烘干的时间，为了探讨硅片洗濯中烘干历程对硅片外貌颗粒的影响，小编通过现实的实验来加以验证和说明
。将洗濯出来的的硅片放入烘干机，并对数据举行统计剖析
。实验数据出来事后要举行以下剖析：

1、甩干时的转速与外貌颗粒的关系：

从上面图表可以看出，转速在2000转/分以下时，由于甩水效果差，泛起的颗粒问题是表较严重的，颗粒数目多就会对芯片的的质量爆发较大的威胁，于是生产中并不可取
。而3000转/分~4500转/分以上的爆发的影响就可以忽略
。而大于5000转/分由于速度过快，会泛起碎片的问题，从而导致颗粒的污染
。

2、烘干时间与外貌颗粒的关系：

由图示可以看出，烘干时间对外貌颗粒的影响照旧较量小的，都在颗粒硅片的外貌 面积都在0.06以下，可以得出烘干时间对外貌颗粒没有直接影响
。

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