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芯片封装之浅谈Cu Clip 手艺几点优势与两种键合方法

尊龙凯时科技 ? 14323 Tags:CuClip手艺芯片封装洗濯功率器件封装

Cu Clip 即铜条带,铜片。Clip Bond 即条带键合,是接纳一个焊接到焊料的固体铜桥实现芯片和引脚毗连的封装工艺。与古板的键合封装方法相比,Cu Clip 手艺有以下几点优势:

1、芯片与管脚的毗毗邻纳铜片,一定水平上取代芯片和引脚间的标准引线键合方法,因而可以获得奇异的封装电阻值、更高的电流量、更好的导热性能。
2、引线脚焊接处无需镀银,可以充分节约镀银及镀银不良爆发的本钱用度。
3、产品形状与正常产品完全坚持一致,主要应用在效劳器、便携式电脑、电池/驱动器、显卡、马达、电源供应等领域。
现在 Cu Clip 有两种键合方法:

1、全铜片键合方法

●  Gate pad 和 Source pad均是Clip方法,此键合要领本钱较高,工艺较重大,能获得更好的Rdson以及更好的热效应。

2、铜片加线键合方法

●  Source pad为Clip 方法, Gate为Wire方法,此键合方法较全铜片的稍自制,节约晶圆面积(适用于Gate极小面积),工艺较全铜片简朴一些,能获得更好的Rdson以及更好的热效应。

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功率芯片通过封装实现与外部电路的毗连,其性能的施展则依赖着封装的支持,在大功率场合下通常功率芯片会被封装为功率 ?榫傩惺褂。芯片互连(interconnection)指芯片上外貌的电气毗连,在古板 ?橹幸谎匠N良舷。

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图 古板功率 ?榉庾敖孛

现在商用碳化硅功率 ?槿匀欢嘌赜谜庵忠呒系墓虐骞 IGBT  ?榈姆庾笆忠,面临着高频寄生参数大、散热能力缺乏、耐温低、绝缘强度缺乏等问题,限制了碳化硅半导体优良性能的施展。为相识决这些问题,充分验展碳化硅芯片潜在的重大优势,近年来泛起了许多针对碳化硅功率 ?榈男滦头庾笆忠蘸图苹。

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图 碳化硅功率 ?榧戏椒

键合质料从2001年的金线键合,生长为2006年的铝线(带)键合,2011年铜线键合,2016年 Cu Clip 键合。小功率的器件由金线生长为铜线,驱动力是本钱降低;大功率器件由铝线(带)生长为 Cu Clip,驱动力是产品性能提升,功率越概略求越高。

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图 (a) 引线键合和 (b) Cu Clip功率 ?榻峁雇

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图 (左)铜线及(右)铜带毗连工艺


相关产品展示

 Copper Clip工艺功率封装

  ●安盛copper clip工艺封装,应用于功率器件封装

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 ●应用铜块毗连MOS FET的Source与框架(leadframe)以获得更好的Rdson以及更好的热效应。

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Copper Clip 优势

  ●电性能

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热性能

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Clip Bond Application 应用领域image.png


在功率电子领域,使用引线键合的载流能力总有一天会抵达极限,条带键合则成为引线键合与载带自动键合(TAB)的替换计划,并且许多古板的超声波楔形引线键合机可以轻松顺应键合带的处置惩罚,因而使条带键合颇具吸引力。

激光条带键合是电子行业,特殊是功率电子领域中激光微焊接的新应用。它特殊适适用于将键合线接到电池端子上,以及毗连到功率电子 ?榈闹苯痈餐―CB)基板和铜端子上。通过适用激光键合,可以完成针对更大电流的条带键合应用。

芯片封装洗濯:

尊龙凯时科技研发的水基洗濯剂配合合适的洗濯工艺能为芯片封装条件供清洁的界面条件。

水基洗濯的工艺和装备设置选择对洗濯细密器件尤其主要,一旦选定,就会作为一个恒久的使用和运行方法。水基洗濯剂必需知足洗濯、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到情形中的湿气,通电后爆发电化学迁徙,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破损了电路板功效。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,尚有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、灰尘等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、爆发气孔、短路等等多种不良征象。

这么多污染物,究竟哪些才是最备受关注的呢 ?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种因素,焊后必定保存热改性天生物,这些物质在所有污染物中的占有主导,从产品失效情形来而言,焊后剩余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁徙使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必需举行严酷的洗濯,才华包管电路板的质量。

尊龙凯时科技运用自身原创的产品手艺,知足芯片封装工艺制程洗濯的高难度手艺要求,突破外洋厂商在行业中的垄断职位,为芯片封装质料周全国产自主提供强有力的支持。

推荐使用尊龙凯时科技水基洗濯剂产品。

 




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