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晶圆洗濯工艺之RCA洗濯
晶圆洗濯工艺的目的是在不改变或损坏晶圆外貌或衬底的情形下去除化学和颗粒杂质（下图） 。晶圆洗濯是为了预扩散洗濯，纵然其外貌不受金属、颗粒和有机物的污染 。金属离子洗濯，即去除对半导体器件运行有倒运影响的金属离子；颗粒洗濯指的是使用化学或机械擦洗去除外貌的颗粒，使用兆速洗濯和蚀刻后洗濯去除蚀刻历程后留下的光阻和聚合物 。接下来小编针对硅晶圆洗濯的差别程序，对RCA洗濯给各人做个简要先容，希望能对您有所资助！
晶圆洗濯工艺 RCA洗濯
RCA洗濯是用于去除硅晶圆中有机物、金属和碱性离子的“标准工艺” 。这里使用超声震荡往复除颗粒 。RCA是美国无线电公司的英文简称，供职于此的Kern和Puotinen于1965年发明了涤讪现代半导体洗濯工艺的SC1和SC2，就是一号标准洗濯液和二号标准洗濯液，也有人称之为APM和HPM 。
图2讨论了RCA洗濯要领 。第一步，硫酸与双氧水的比例为1:1至4:1 。在该溶液中浸泡10分钟，温度为120-150℃ 。该历程被称为Pirhana洗濯，也有人称之为SPM；之后将晶圆浸入稀释氢氟酸（DHF）溶液中1分钟，氢氟酸和水的比例为1:10至1:50；最后在室温下用去离子水冲洗一准时间 。RCA洗濯工艺中还包括SC-1和SC-2两种要领 。每一步都要用去离子水冲洗硅晶圆，以抵达完善的洗濯效果 。
以上是关于晶圆洗濯工艺之RCA洗濯的相关内容先容了，希望能对您有所资助！
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