同的Chiplet封装形式虽然命名方法差别

，但均由几种毗连方法混淆搭配而成。毗连方法主要分为点和面

，点毗连主要有Bumping（凸块）和TSV（硅通孔）、面毗连主要有RDL（重布线层）和Silicon Interposer（硅中阶级）。

Bumping（凸块）：倒装是先进封装中最焦点的工艺

，而Bumping又是倒装流程中最主要的工艺

，是Chiplet的第一步。Bumping指的是在晶圆外貌预留的位置（通常是Pad）生长焊球

，通过焊球实现与基板、PCB的毗连。Bumping的质料一样平常有锡、铜、金

，其制造历程与前道晶圆制造办法基内情似

，主要涉及PI涂敷、光刻、溅镀、电镀、洗濯、回流焊等工艺。Bumping的参数主要分为直径、高度和密度

，随着芯片重漂后提升

，引脚数响应提升

，导致Bumping直径更小、高度更低、密度更高

，对应难度更高。

?TSV（Through silicon via, 硅通孔）：主要用于立体封装

，在硅片中举行笔直偏向上的打孔

，为芯片起到电气延伸和互连的作用。凭证集成类型的差别

，TSV分为2.5D和3D

，2.5D TSV位于中介层中

，而3DTSV贯串芯片自己

，直接毗连上下层芯片。TSV毗连方法大宗应用于高端存储器堆叠、Interposer中。

?RDL（Re-distributed layer

，重布线层）：主要为2D平面上的芯片电气延伸与互连提供前言。优势主要有3点：1）芯片设计者可以通过对RDL的设计取代一部分芯片内部线路的设计

，从而降低设计本钱
；2）接纳RDL能够支持更多的引脚数目
；3）接纳RDL可以使I/O触点间距更无邪、凸点面积更大

，从而使基板与元件之间的应力更小、元件可靠性更高。RDL在WLP（Wafer Level Package

，晶圆级封装）和立体堆叠封装中有普遍的应用。凭证重布凸点的位置

，RDL可分为扇入型（Fan-In）和扇出型（Fan-Out）。扇入型封装是将线路集中在芯片内部

，主要用于低I/O节点数目和较小裸片工艺中
；扇出型封装手艺接纳在芯片尺寸以外的区域做I/O接点布线设计以提高I/O接点的数目

，主要适用于尺寸较大的芯片类型

，如效劳器、主机芯片。

?Interposer（中介层）：是封装中多芯片？榛虻缏钒遄锏缧藕诺囊徊闫教

，作用类似于RDL

，但Interposer的通常密度更高。中介层可以由硅和有机质料制成

，充当多颗裸片和电路板之间的桥梁

，完成异质集成封装。Interposer具有较高的细间距I/O密度和TSV形成能力

，在2.5D和3D IC芯片封装中饰演着要害角色。