碳化硅功率？槭鞘褂锰蓟璋氲继遄魑氐墓β誓？
。 

碳化硅功率？橛糜谧坏缒，转换效率高 — 功率是指电流和电压的乘积
。碳化硅半导体带隙宽，用于 MOSFET 中时，开关消耗极低，因此相较于通俗的硅器件，可允许更高的开关频率
。同时，与古板的硅半导体相比，碳化硅半导体能够在更高的温度和更高的电压下事情
。

大电流功率？橹衅毡榻幽傻闹饕怯蒘i质料的IGBT和FRD组成的IGBT？
。ROHM在天下上首次最先出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率？
。

由IGBT的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关消耗，通过改用SiC功率？榭梢韵宰棚蕴，因此具有以下效果：

1. 开关消耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化
   （例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化）

2. 事情频率的高频化，使周边器件小型化
   （例：电抗器或电容等的小型化）

主要应用于工业机械的电源或光伏发电的功率调理器等
。

现在量产中的SiC功率？槭且恢忠砸桓瞿？樽槌砂肭诺缏返2in1类型的？
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分为由SiC MOSFET + SiC SBD组成的类型和只由SiC MOSFET组成的类型两种，可凭证用途举行选择
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SiC？楣β拾氲继迤骷洗濯：

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