倒装芯片凸点工艺

芯片凸点是FC互连中的要害组成部分之一，具有在芯片与基板间形成电毗连、形成芯片与基板间的结构毗连以及为芯片提供散热途径三个主要功效。

其中，粘接层能够增强凸点和芯片金属化层、芯片钝化层之间的粘接力，提供牢靠的键合界面，典范的粘接层质料有Cr、Ti、Ni、W、TiW和锌酸盐等。

阻挡层的作用是避免金属、污染离子向芯片金属层和粘接层扩散，阻挡层质料常接纳Cr、W、Ti、TiW、Ni或Cr-Cu。阻挡层上面是润湿层，可以为其上的凸点提供润湿工具，与凸点爆发反应天生IMC并形成键合，典范的润湿层金属有Cu、Ni、Pd和Pt。UBM的最外层是可选择使用的抗氧化层，目的是避免润湿层的氧化，主要质料为很薄的Au层。

UBM的制作主要由物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）工艺完成，PVD可分为蒸镀（Evaporation）和溅射（Sputtering）两种，前者使用高温将金属熔融蒸发后镀覆于晶圆上，后者使用高速粒子攻击靶材引发出的靶材外貌原子或分子落在晶圆上，两种工艺均需在真空条件下完成Ｋ剂康秸舳票厩细，现在UBM大都由溅射工艺制作。

C2凸点的回流焊键合工艺历程与C4相同，涂敷助焊剂后，将FC对齐至底部芯片或基板，随后通过回流焊举行键合，C2回流焊凸点的间距可以小至25μm。

近年来，具有C2凸点的芯片向硅、陶瓷或有机封装基板的热压键合成为研究热门。C2凸点热压键合历程如下：在焊料盖、基板或两者外貌都涂覆助焊剂，随后将FC拾取并瞄准安排在基板上，施加温度熔化焊料的同时，施加较小的压力将芯片牢靠在离底部芯片或基板一定距离的位置。

与回流焊相比，C2凸点的热压键合只能举行单个芯片的封装，因此封装效率较低，可是这种封装要领可以使芯片上的Cu柱间距小至8μm。

不带焊帽的Cu柱还可以接纳Cu对Cu直接键合的要领举行键合，Cu-Cu扩散键合可以知足超细节距和超小焊盘尺寸的要求，焊盘间距小至5μm。为了镌汰氧化物天生对键合质量和可靠性的影响，Cu-Cu键合通常使用热压键合的要领在高温（约400°C）、高压和长时间（60min～120min）下举行，这对封装的效率和可靠性都很是倒运。

Cu-Cu键合也可以在室温下举行，但室温键合在提高封装效率、降低本钱的同时，也必需知足焊盘/布线/晶圆的平面化、包管键合外貌平整及很是高的清洁室品级等要求，才华获得高质量键合。Cu-Cu键合现在主要用于晶圆对晶圆（Wafer to Wafer，W2W）组装，还没有大规模生产及应用。

4、FC芯片封装洗濯的污染物与洗濯剂选择：

水基洗濯的工艺和装备设置选择对洗濯细密器件尤其主要，一旦选定，就会作为一个恒久的使用和运行方法。水基洗濯剂必需知足洗濯、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到情形中的湿气，通电后爆发电化学迁徙，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破损了电路板功效。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，尚有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、灰尘等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、爆发气孔、短路等等多种不良征象。

这么多污染物，究竟哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种因素，焊后必定保存热改性天生物，这些物质在所有污染物中的占有主导，从产品失效情形来而言，焊后剩余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁徙使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必需举行严酷的洗濯，才华包管电路板的质量。

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