功率器件凭证生长偏向可以分为小功率器件和大功率器件。小功率器件的生长偏向以追求高集成度、高事情频率和单位器件的小功率为目的的微电子手艺，它是以集成电路为焦点的
；而大功率器件的生长偏向以追求高的事情电流密度、短的开关时间和大的功率为目的的功率电子学。

2 凭证生长历程

功率器件凭证其生长历程又可分为三类半导体器件，第一类器件是以晶闸管为代表的功率器件，该类器件一旦开启事后就没法阻止了，因此寿命很短。第二类器件是一种可控型器件，如电力场效应晶体管，该类器件可控制器件的开启关断
；第三类器件主要以绝缘栅双极晶体管为代表，它将电力场效应晶体管高耐压，驱动电路简朴的优点与双极结型晶体管导通电压小的优点连系于一体，因此，在高压高功率电路中获得了普遍应用。

3 凭证半导体质料

功率器件凭证半导体质料可分为第一代半导体、第二代半导体与第三代半导体。第一代半导体质料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体质料。而第二代半导体质料主要是指化合物半导体质料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）
；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP
；尚有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP
；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体
；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。第三代半导体质料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体质料。

4 凭证电流流通路径

功率器件凭证电流流通路径可以分为横向功率器件与纵向功率器件。横向功率器件指器件的泄电极和源电极都在器件上方，电流从漏极流向源极的路径为横向。而纵向功率器件指器件的源电极在器件的上方，而泄电流在器件的下方，电流从漏极流向源极的路径为纵向。如图为横向功率器件的代表结构LDMOS（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor）与纵向功率器件的代表结构VDMOS（Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor）元胞结构示意图。

功率LDMOS与VDMOS相关于通俗MOS多了一个漂移区N-Drift，同时MOS的P-sub相当于LDMOS与VDMOS器件的P-body区域， P-body通过P+区域与源电极相连，因此LDMOS与VDMOS的电流路径相关于通俗MOS多了一个漂移区。漂移区的保存增大了器件的电阻，但在电流流通时，漂移区两头就可遭受电压，因此LDMOS与VDMOS有较高的击穿电压。