半导体制造流程（四） - 刻蚀
半导体制造流程（四） - 刻蚀
半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的质料 。半导体应用领域很是普遍 。从科技或是经济生长的角度来看 ，半导体的主要性都是很是重大的 。大部分的电子产品都和半导体有着极为亲近的关联 。常见的半导体质料有硅、锗、砷化镓等 ，硅是种种半导体质料应用中最具有影响力的一种 。
每个半导体产品的制造都需要数百个工艺 ，整个制造历程分为八个办法：晶圆加工 - 氧化 - 光刻 -刻蚀 - 薄膜沉积 - 互连 - 测试 - 封装 。今天小编给各人先容的是半导体制造的第四个办法：刻蚀 ，希望能对各人有所资助！
半导体制造第四步：刻蚀
在晶圆上完成电路图的光刻后 ， 就要用刻蚀工艺往复除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图 。要做到这一点需要使用液体、气体或等离子体往复除选定的多余部分 ？淌吹囊熘饕治街 ，取决于所使用的物质：使用特定的化学溶液举行化学反应往复除氧化膜的湿法刻蚀 ，以及使用气体或等离子体的干法刻蚀 。
湿法刻蚀
使用化学溶液去除氧化膜的湿法刻蚀具有本钱低、刻蚀速率快和生产率高的优势 。然而 ，湿法刻蚀具有各向同性的特点 ，即其速率在任何偏向上都是相同的 。这会导致掩膜（或敏感膜）与刻蚀后的氧化膜不可完全对齐 ，因此很难处置惩罚很是细腻的电路图 。
干法刻蚀
干法刻蚀可分为三种差别类型 。第一种为化学刻蚀 ，其使用的是刻蚀气体（主要是氟化氢） 。和湿法刻蚀一样 ，这种要领也是各向同性的 ，这意味着它也不适适用于细腻的刻蚀 。
第二种要领是物理溅射 ，即用等离子体中的离子来撞击并去除多余的氧化层 。作为一种各向异性的刻蚀要领 ，溅射刻蚀在水平和笔直偏向的刻蚀速率是差别的 ，因此它的细腻度也要凌驾化学刻蚀 。但这种要领的弱点是刻蚀速率较慢 ，由于它完全依赖于离子碰撞引起的物理反应 。
最后的第三种要领就是反应离子刻 蚀 (RIE) 。RIE连系了前两种要领 ，即在使用等离子体举行电离物理刻蚀的同时 ，借助等离子体活化后爆发的自由基举行化学刻蚀 。除了刻蚀速率凌驾前两种要领以外 ，RIE 可以使用离子各向异性的特征 ，实现高细腻度图案的刻蚀 。
现在干法刻蚀已经被普遍使用 ，以提高细腻半导体电路的良率 。坚持全晶圆刻蚀的匀称性并提高刻蚀速率至关主要 ，当今最先进的干法刻蚀装备正在以更高的性能 ，支持最为先进的逻辑和存储芯片的生产 。
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