氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体,已在功率电子领域闯出一片天下
以碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体,已在功率电子领域闯出一片天下。其中,碳化硅更顺应高压、大电流的应用场景,制霸新能源汽车市场,产值远超主攻中低电压市场的氮化镓。而近年来,氮化镓的应用已经不再局限于快充等消耗电子市场,而是向数据中心、可再生能源甚至新能源汽车市场一连推进。
在数据中心、光伏逆变器、汽车、通讯电源等市场,对产品功率密度、能效、开关频率、热治理、可靠性及尺寸等都提出了更高的要求。而氮化镓因具备宽禁带、高频率、低消耗、抗辐射强等优势,正好知足了种种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求。
“在汽车领域,现在首先量产的是激光雷达产品,也有部分厂商正在致力于开发用于汽车主逆变器的氮化镓功率元件。”
化镓在400V系统内车载充电机的应用中,可能与碳化硅质料形成竞争,但由于氮化镓质料在高压上的局限,800V辖档挽域短期内应该不会有竞争爆发。据展望,到2025年左右,氮化镓功率元件会小批量地渗透到低功率的OBC(车载充电机)和DC-DC(直流转直流电源)中,2030年月工厂商会思量将氮化镓移入到逆变器。

功率器件传感器洗濯
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为应对能源;蜕樾味窕任侍,天下各国均在鼎力大举生长新能源汽车、高压直流输电等新兴应用,增进了大功率电力电子变流装置的普遍应用。大功率变流装置的可靠性对这些应用而言十分主要。装置的可靠性与其焦点器件功率器件传感器洗濯亲近相关。
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