芯片半导体常用术语的中英文比照表（上）
常用芯片半导体术语的中英文比照表（上）
6月29日，上海新国际博览中心，SEMICON / FPD China 2023开幕主题演讲开启“半导体嘉年华”序幕。半导体芯片的国产化已成为业界探讨和追寻的主旋律，由于只有掌握自己的焦点手艺才华不被掣肘，才华为工业生长甚至国家清静提供强有力的支持。
今天小编给各人分享一篇常用的芯片半导体术语的中英文比照表，希望能对您有所资助！
芯片半导体常用术语中英文比照表：
离子注入机 ion implanter
LSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory，又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应 channeling effect
射程漫衍 range distribution
深度漫衍 depth distribution
投影射程 projected range
阻止距离 stopping distance
阻止本事 stopping power
标准阻止截面 standard stopping cross section
退火 annealing
激活能 activation energy
等温退火 isothermal annealing
激光退火 laser annealing
应力感生缺陷 stress-induced defect
择优取向 preferred orientation
制版工艺 mask-making technology
图形畸变 pattern distortion
初缩 first minification
精缩 final minification
母版 master mask
铬版 chromium plate
干版 dry plate
乳胶版 emulsion plate
透明版 see-through plate
高区分率版 high resolution plate, HRP
超微粒干版 plate for ultra-microminiaturization
掩模 mask
掩模瞄准 mask alignment
瞄准精度 alignment precision
光刻胶 photoresist，又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶 negative photoresist
正性光刻胶 positive photoresist
无机光刻胶 inorganic resist
多层光刻胶 multilevel resist
电子束光刻胶 electron beam resist
X射线光刻胶 X-ray resist
刷洗 scrubbing
甩胶 spinning
涂胶 photoresist coating
后烘 postbaking
光刻 photolithography
X射线光刻 X-ray lithography
电子束光刻 electron beam lithography
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